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    GaN級聯(lián)結(jié)構(gòu)，兼具Si MOS器件易于驅(qū)動（與傳統(tǒng)Si器件驅(qū)動兼容度高）、柵壓驅(qū)動范圍寬（±20V）、
柵極可靠性高等優(yōu)勢和GaN器件高耐壓、低導通電阻、高開關速度等優(yōu)勢。